令和5年度第三種電気主任技術者下期試験　理論科目 各問題解説

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2024-03-24 ・ 22問

• 問10 問1 問1

  問1 極板間が比誘電率εrの誘電体で満たされている平行平板コンデンサに一定の直流電圧が加えられている。このコンデンサに関する記述a～eとして,誤っているものの組合せを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。ただし,コンデンサの端効果は無視でき …

• 問20 問2 問2

  問2 真空中で導体球A及びBが軽い絶縁体の糸で固定点Oからつり下げられている。真空の誘電率をε0[F/m], 重力加速度をg[m/s^2]とする。A及びBは同じ大きさと質量m[kg]をもつ。糸の長さは各導体球の中心点が点Oから距離l[m]と …

• 問30 問3 問3

  問3 次の文章は，強磁性体の応用に関する記述である。磁界中に強磁性体を置くと，周囲の磁束は，磁束が(ア)強磁性体の(イ)を通るようになる。このとき，強磁性体を中空にしておくと，中空の部分には外部の磁界の影響がほとんど及ばない。このように，強 …

• 問40 問4 問4

  問4 図のように，透磁率 μ0[H/m]の真空中に，無限に長い直線状導体Aと1辺a[m]の正方形のループ状導体Bが距離d[m]を隔てて置かれている。AとBはxz平面上にあり，Aはz軸と平行，Bの各辺はx軸又はz軸と平行である。A，Bには直流 …

• 問50 問5 問5

  問5 図に示す直流回路は, 100 Vの直流電源に直流電流計を介して10 Ωの抵抗が接続され, 50 Ωの抵抗と抵抗R[Ω]が接続されている。電流計は5 Aを示している。抵抗R[Ω]で消費される電力の値[W]として, 最も近いものを次の(1 …

• 問60 問6 問6

  問6 図のような直流回路において, 抵抗6Ωの端子間電圧の大きさV[V]として, 正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

• 問70 問7 問7

  問7 図のように, 抵抗, 切換スイッチS及び電流計を接続した回路がある。この回路に直流電圧100Vを加えた状態で, 図のようにスイッチSを開いたとき電流計の指示値は2.0Aであった。また, スイッチSを(1)側に閉じたとき電流計の指示値は …

• 問80 問8 問8

  問8 図のような交流回路において, 電源の周波数を変化させたところ, 共振時のインダクタンスLの端子電圧VLは314Vであった。共振周波数の値[kHz]として, 最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

• 問90 問9 問9

  問9 次式に示す電圧e[V]及び電流i[A]による電力の値[kW]として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。e=100sin(ωt)+50sin(3ωt-π/6)[V]i=20sin(ωt-π/6)+10√3sin(3ωt …

• 問100 問10 問10

  問10 図のように, 電圧E[V]の直流電源, スイッチS, R[Ω]の抵抗及び静電容量C[F]のコンデンサからなる回路がある。この回路において, スイッチSを1側に接続してコンデンサを十分に充電した後, 時刻t=0sでスイッチSを1側に切 …

• 問110 問11 問11

  問11 FETは，半導体の中を移動する多数キャリアを(ア)電圧により生じる電界によって制御する素子であり，接合形と(イ)形がある。次の図記号は接合形の(ウ)チャネルFETを示す。上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして， …

• 問120 問12 問12

  問12 真空中の電子の運動に関する記述である。x軸上の負の向きに大きさが一定の電界E[V/m]が存在しているとき、x軸上に電荷が-e[C](eは電荷の絶対値)、質量m0[kg]の1個の電子を置いた場合を考える。x軸の正方向の電子の加速度をa …

• 問130 問13 問13

  問13 図に示すように二つの増幅器を縦続接続した回路があり, 増幅器1の電圧増幅度は10である。今, 入力電圧viの値として0.4mVの信号を加えたとき, 出力電圧voの値は0.4Vであった。増幅器2の電圧利得の値[dB]として, 最も近い …

• 問140 問14 問14

  問14 固有の名称をもつSI組立単位の記号と，これと同じ内容を表す他の表し方の組合せとして，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

• 問151 問15(a) 問15

  問15(a) 抵抗R[Ω], 誘導性リアクタンスX[Ω]からなる平衡三相負荷(力率80%)に対称三相交流電源を接続した交流回路がある。図1のように, Y結線した平衡三相負荷に線間電圧210Vの三相電圧を加えたとき, 回路を流れる線電流Iは1 …

• 問152 問15(b) 問15

  問15(b) 図1の各相の負荷を使ってΔ結線し, 図2のように相電圧200Vの対称三相電源に接続した。この平衡三相負荷の全消費電力の値[kW]として, 最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

• 問161 問16(a) 問16

  問16(a) 図のように, 電源E[V], 負荷抵抗R[Ω], 内部抵抗Rv[kΩ]の電圧計及び内部抵抗Ra[Ω]の電流計を接続した回路がある。この回路において, 電圧計及び電流計の指示値がそれぞれV1[V], I1[A]であるとき, 次の …

• 問162 問16(b) 問16

  問16(b) 図のように, 電源E[V], 負荷抵抗R[Ω], 内部抵抗Rv[kΩ]の電圧計及び内部抵抗Ra[Ω]の電流計を接続した回路がある。この回路において, 電圧計及び電流計の指示値がそれぞれV1[V], I1[A]であるとき, 次の …

• 問171 問17(a) 問17

  問17(a) 図1の端子a-d間の合成静電容量について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。端子b-c-d間は図2のようにΔ結線で接続されている。これを図3のようにY結線に変換したとき、電気的に等価となるコンデンサC[μF]の値として、最も近 …

• 問172 問17(b) 問17

  問17(b) 図1の端子a-d間の合成静電容量について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。図3を用いて、図1の端子b-c-d間をY結線回路に変換したとき、図1の端子a-d間の合成静電容量C0[μF]として、最も近いものを次の(1)～(5)の …

• 問181 問18(a) 問18

  問18(a) 図1は，飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し，図中のvi並びにvoはそれぞれ，入力と出力の小信号交流電圧[V]を表す。また，図2は，その増幅回路で使用するFETのゲート-ソース間電圧Vgs[V]に対するドレーン …

• 問182 問18(b) 問18

  問18(b) 図2の特性曲線の点Pにおける接線の傾きを読むことで，FETの相互コンダクタンスがgm=6mSであるとわかる。この値を用いて，増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図3となる。ここで，コンデンサC1，C2，CSのインピーダンスが使 …